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壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，自有研發(fā)隊(duì)伍

壓敏電阻器在電路的過(guò)電壓防護(hù)中，如果正常工作在預(yù)擊穿區(qū)和擊穿區(qū)，理論上是不會(huì)損壞的。但由于壓敏電阻器要長(zhǎng)期承受電源電壓，電路中暫態(tài)過(guò)電壓、超能量過(guò)電壓隨機(jī)的不斷沖擊及吸收電路儲(chǔ)能元件釋放能量，因此，壓敏電阻器也是會(huì)損壞的它的壽命根據(jù)所在電路經(jīng)受的過(guò)電壓幅值和能量的不同而不同。

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氧化鋅壓敏電阻在交流電壓作用下的老化：

當(dāng)施加交流電壓一定時(shí)間后，氧化鋅壓敏電阻的U-I特性曲線發(fā)生對(duì)稱(chēng)變化，除了特性曲線的變化是對(duì)稱(chēng)的特點(diǎn)外，改變的趨勢(shì)與施加直流電壓的趨勢(shì)相近。試驗(yàn)時(shí)所施加的交流電壓梯度為65V/mm，溫度為70℃。試驗(yàn)還表明，不論是直流還是交流作用電壓，老化試驗(yàn)后壓敏電阻U-I 特性在預(yù)擊穿區(qū)（即低電場(chǎng)區(qū)域）的變化程度要比擊穿區(qū)即（中電場(chǎng)區(qū)域）大得多。

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壓敏電阻交流作用下的老化機(jī)理

交流作用下。在正半周時(shí)，假設(shè)右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移，而左側(cè)所加電壓很低，Zn

i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負(fù)半周，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移，右側(cè)這時(shí)所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大?？偟慕Y(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。

源林電子是一家專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷(xiāo)！

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